未來(lái)3年場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格及市場(chǎng)走勢(shì)如何，一起來(lái)看看

近幾年來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值從2016年的衰退3%至3,656億美元，2017年后又開(kāi)始強(qiáng)勁復(fù)蘇，Garnter預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將成長(zhǎng)至4744億美元，年增約8%，其中場(chǎng)效應(yīng)管增長(zhǎng)較為穩(wěn)健。

近幾年中國(guó)在芯片和半導(dǎo)體研發(fā)投入在不斷地提升，從2012年的約80億美金增長(zhǎng)到2017年的180億美金，預(yù)計(jì)未來(lái)五年的增速會(huì)在13%左右，大概是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速的3倍左右，是全球GDP增速的6倍左右。

預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)未來(lái)三年分立器件增速平穩(wěn)，約7.8%左右，到2020年市場(chǎng)規(guī)模約在3100億元左右。

中國(guó)整體芯片和集成電路市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化不斷提升，預(yù)計(jì)2019-2023年國(guó)產(chǎn)比例會(huì)進(jìn)一步提升到約50%。在分立器件領(lǐng)域，中國(guó)產(chǎn)品替代性強(qiáng)，并擁有很大的出口潛力，隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響加深，預(yù)計(jì)功率器件國(guó)產(chǎn)替代率會(huì)進(jìn)一步提升。

2018年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)規(guī)模26.39億美元，占據(jù)全球67.12億元市場(chǎng)規(guī)模的39.3%，中國(guó)場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)前十一大企業(yè)共占據(jù)82.2%的市場(chǎng)空間，其中中國(guó)資本收購(gòu)的外國(guó)企業(yè)Nexperia位列第八，占據(jù)3.2%的市場(chǎng)份額，中國(guó)企業(yè)士蘭微位列第十，占據(jù)2.5%，二者合計(jì)為5.7%。中國(guó)MOSFET市場(chǎng)需求量與中國(guó)企業(yè)供給量存在巨大差距，場(chǎng)效應(yīng)管?chē)?guó)產(chǎn)廠家品牌整體市場(chǎng)占比較低，國(guó)產(chǎn)替代空間還是比較大的。

功率器件中，場(chǎng)效應(yīng)管占比最高，但是近年來(lái)IGBT需求增長(zhǎng)最快。隨著高鐵，新能源汽車(chē)的發(fā)展，預(yù)計(jì)未來(lái)IGBT需求會(huì)非常強(qiáng)勁，IGBT未來(lái)幾年的發(fā)展快于其他功率器件的增長(zhǎng)！

MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，從家電到數(shù)碼設(shè)備，從工業(yè)智能設(shè)備到玩具，都需要用到場(chǎng)效應(yīng)管，場(chǎng)效應(yīng)管的市場(chǎng)需求還是比較大的，預(yù)計(jì)未來(lái)場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格將長(zhǎng)期保持穩(wěn)定。

預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)管2019年市場(chǎng)規(guī)模約80億美元（550億人民幣）。由于中美貿(mào)易戰(zhàn)提升了關(guān)稅，進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格升高，加上美國(guó)對(duì)華為的禁令，促使國(guó)家加快這方面的研發(fā)和投入，預(yù)計(jì)國(guó)產(chǎn)化率未來(lái)會(huì)不斷提高。國(guó)內(nèi)知名場(chǎng)效應(yīng)管品牌深圳市通順達(dá)科技，計(jì)劃利用這一市場(chǎng)形勢(shì)，加大研發(fā)，將為市場(chǎng)提供更多國(guó)產(chǎn)替代器件。