場效應(yīng)晶體管(FET)具有輸入電阻大、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子電路、大電流和高壓電路中，正確使用和區(qū)分場效應(yīng)晶體管的管腳和極性是非常必要的，與三極管一樣，要了解場效應(yīng)晶體管的管腳和極性，首先要了解它的結(jié)構(gòu)和原理;場效應(yīng)晶體管的管腳有三個(gè)電極：柵極G、漏極D和源極S(雙柵極管有四個(gè)電極);場效應(yīng)管由結(jié)場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS)構(gòu)成。場效應(yīng)晶體管的“結(jié)”是指pn結(jié)。絕緣柵場效應(yīng)晶體管的絕緣柵是指柵、源和漏之間的二氧化硅絕緣層。它們之間沒有傳導(dǎo)聯(lián)系。根據(jù)導(dǎo)電溝道的性質(zhì)，將結(jié)場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管分為電子型(n)溝道和空穴型(p)溝道。這是場效應(yīng)管傳導(dǎo)的通道;極性晶體管、三極管是雙極晶體管，即前者只由一種載流子傳導(dǎo)，后者由兩種載流子傳導(dǎo);場效應(yīng)晶體管是壓控晶體管，通過柵極和源極。兩個(gè)通道之間的電壓改變了通道的導(dǎo)電性。三極管是一種電流控制晶體管，通過改變電流來改變集電極電流。

　　從結(jié)構(gòu)上可以看出結(jié)場效應(yīng)晶體管具有以下特點(diǎn)：

      漏極D與源極S之間的半導(dǎo)體類型相同，即相同的p型或n型半導(dǎo)體，正負(fù)方向電阻相等，且電阻相對較小。與柵極G、漏極D和源S連接的半導(dǎo)體類型總是不同的。在柵極G和帶pn結(jié)的漏源之間，pn結(jié)的正向電阻小，反向電阻大；

        結(jié)場效應(yīng)管的工作原理：對柵極和源施加反向電壓后，pn結(jié)的厚度會發(fā)生變化，從而改變電導(dǎo)通道導(dǎo)電性；

　　從增強(qiáng)型MOS管1的結(jié)構(gòu)看：

       1.柵極G與漏極D和源極S分離，它們之間的電阻是無窮大的。

       2.漏極和源極在不加電壓的情況下是不導(dǎo)電的；

       3.增強(qiáng)型NMOS管是基于P型硅片（也稱為襯底），漏極與N型半導(dǎo)體相連，襯底和源極連接在一起，因此P型襯底和漏極N型半導(dǎo)體形成一個(gè)二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。

      增強(qiáng)型MOS管的工作原理是：在柵極和源極之間施加正向電壓，達(dá)到一定值后形成導(dǎo)電溝道。改變電壓將改變導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電性；從結(jié)構(gòu)1看MOS管。柵極與源極和漏極隔離，它們之間的電阻是無窮大的。所述漏極和所述源極可以導(dǎo)通，所述溝道在制造時(shí)形成；在所述電極和所述源極之間施加反向電壓后在柵極處，改變電壓改變所述導(dǎo)通溝道的寬度和導(dǎo)電性；

　　檢測方法

　   結(jié)場效應(yīng)管的漏極和源極在制造過程中是對稱的，因此可以在不影響正常工作的情況下互換，只需確定柵極和溝道的類型。撥至R×100Ω，測量場效應(yīng)管任意兩極間的電阻，每方向一根。有以下幾種情況：

       1。如果兩次測量的電阻相同或相似，則兩極為漏極。D，源S，其余為柵極；則紅筆不動，黑筆觸柵極，若電阻值較大，則測得p n節(jié)點(diǎn)反向電阻，黑筆接n，紅筆接p，則管為p通道，否則為n通道；

        2。如果這兩個(gè)測量值是大是小，則表明其中一個(gè)是柵極，另一個(gè)是漏極或源極。根據(jù)電阻值小的時(shí)間，紅筆不動，黑筆接另一極。如果電阻值很小，與黑筆切換前測得的電阻值相同或相似，則紅筆與電網(wǎng)相連。管為p通道；若測得的電阻與黑筆反轉(zhuǎn)前測得的電阻明顯不同，則黑筆反轉(zhuǎn)前有柵極，管為n通道場效應(yīng)管；或直接測量兩極間的正負(fù)電阻，第一種情況，你可以確定網(wǎng)格，這是相對簡單的

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