MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，英文全稱metal oxide semiconductor，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型，所以，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。

MOS管擊穿原因及解決方法

首先，MOS管本身的輸入電阻很高，柵極和源極之間的電容很小，所以很容易被外部電磁場或靜電感應(yīng)充電，少量的充電可以在電極之間的電容上形成相對較高的電壓。（U=Q/C），損壞管道。雖然MOS輸入有防靜電保護(hù)措施，但仍需小心處理。最好使用金屬容器或?qū)щ姴牧线M(jìn)行包裝和儲存。不要放在易受靜電高壓的化學(xué)材料或化纖織物中。組裝調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等應(yīng)接地良好。為防止操作人員靜電干擾造成損壞，如不適合穿尼龍或化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前應(yīng)接地。矯直或彎曲設(shè)備導(dǎo)線或手工焊接時，所用設(shè)備必須接地良好。

其次，當(dāng)MOS電路的輸入端的保護(hù)二極管接通時，其電流容限為1ma。當(dāng)可能出現(xiàn)過大的瞬態(tài)輸入電流（超過10毫安）時，輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。因此，在應(yīng)用過程中可以選擇帶有內(nèi)部保護(hù)電阻的MOS管。同時，由于保護(hù)電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護(hù)電路失效。因此，在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。

MOS是一種電壓驅(qū)動元件，對電壓非常敏感。浮動G可以很容易地接受外部干擾使MOS導(dǎo)通。外部干擾信號給G-S結(jié)電容器充電。這種微小的電荷可以儲存很長時間。在測試中，G懸架是非常危險的。其中很多是由爆管引起的，G接一個下拉電阻接地，旁路干擾信號不通過，一般為10~20K，這個電阻叫做門電阻。功能1：為場效應(yīng)晶體管提供偏置電壓；功能2：用作放氣電阻器（保護(hù)柵極G源）。第一個角色很容易理解。這里是第二個作用原理：保護(hù)柵G~源S：場效應(yīng)晶體管的GS極之間的電阻很大，所以只要有少量的靜電就可以使其GS極之間的等效電容產(chǎn)生高壓。如果這些少量的靜電沒有及時放電，穿過his的高壓可能會導(dǎo)致場效應(yīng)管發(fā)生故障，甚至可能擊穿。GS電極；此時，柵極和源極之間增加的電阻可以釋放上述靜電放電，從而保護(hù)場效應(yīng)管。